ใน

ลือ iPhone 18 Pro รุ่นความจุสูง อาจใช้หน่วยความจำที่ช้ากว่ารุ่นความจุต่ำ

ลือ iPhone 18 Pro รุ่นความจุสูง 1TB และ 2TB อาจใช้หน่วยความจำ QLC ที่ช้ากว่า TLC แต่การใช้งานจริงอาจแทบไม่เห็นความแตกต่าง

ลือ iPhone 18 Pro รุ่นความจุสูง อาจใช้หน่วยความจำที่ช้ากว่ารุ่นความจุต่ำ

มีข่าวลือใหม่ว่า iPhone 18 Pro บางรุ่นอาจใช้หน่วยความจำ QLC NAND ที่ช้ากว่า โดยเป็นข้อมูลคล้ายกับข่าวลือของ iPhone 16 Pro เมื่อปี 2024

รายงานล่าสุดระบุว่า Apple อาจใช้หน่วยความจำ TLC ที่เร็วกว่าใน iPhone รุ่นความจุที่คนส่วนใหญ่นิยมซื้อ แต่รุ่นความจุสูง 1TB และ 2TB อาจเปลี่ยนไปใช้ QLC ที่ช้ากว่าจาก SK Hynix

ปัจจุบันบริษัทต่าง ๆ รวมถึง Apple ยังคงประสบปัญหาในการจัดหาชิ้นส่วนหน่วยความจำสำหรับผลิตภัณฑ์ใหม่ จึงอาจไม่ใช่เรื่องน่าแปลกใจหาก Apple เลือกใช้แนวทางนี้

การจัดหาชิ้นส่วน TLC ความจุ 1TB และ 2TB อาจทำได้ยาก หรืออาจเป็นไปไม่ได้ อีกทั้งยังมีต้นทุนสูงจากสถานการณ์ตลาดหน่วยความจำแฟลชในปัจจุบัน

อย่างไรก็ตาม ข่าวลือในลักษณะเดียวกันนี้เคยเกิดขึ้นมาก่อน และดูเหมือนว่าข้อมูลในครั้งนั้นจะไม่ถูกต้อง อีกทั้งยังไม่ชัดเจนว่าการใช้หน่วยความจำ QLC จะสร้างปัญหาในการใช้งานจริงสำหรับผู้ใช้ iPhone หรือไม่

iPhone 18 Pro อาจใช้ทั้ง QLC และ TLC

WCCFTech เผยข้อมูลจากโพสต์ของผู้ปล่อยข่าว “Reptalica” ซึ่งอ้างว่า Apple จะเลือกใช้หน่วยความจำแตกต่างกันตามความจุของแต่ละรุ่น

ตามข้อมูลดังกล่าว iPhone 18 Pro และ iPhone 18 Pro Max รุ่นความจุ 256GB และ 512GB จะใช้ TLC NAND จาก SK Hynix, Kioxia และ SanDisk

ส่วนรุ่นความจุ 1TB อาจใช้ทั้ง QLC จาก SK Hynix และ TLC จาก Samsung ขณะที่รุ่นความจุ 2TB จะใช้ QLC จาก SK Hynix เพียงรายเดียว

ข่าวลือแบบเดียวกันเคยเกิดขึ้นกับ iPhone 16 Pro

ข้อมูลนี้คล้ายกับข่าวลือเมื่อเดือน ม.ค. 2024 ก่อนการเปิดตัว iPhone 16 Pro ในเดือน ก.ย. ของปีเดียวกัน โดยในเวลานั้นมีรายงานว่า Apple จะใช้หน่วยความจำ QLC กับ iPhone รุ่นความจุ 1TB ขึ้นไป

อย่างไรก็ตาม การตรวจสอบว่า Apple ใช้ QLC จริงหรือไม่ทำได้ยาก และจนถึงตอนนี้พบเพียงรายงานเกี่ยวกับ iPhone 16 Pro รุ่นความจุสูงที่ใช้หน่วยความจำ TLC ซึ่งมีความเร็วสูงกว่า

แม้จะไม่สามารถยืนยันได้ว่าไม่มีชิป QLC อยู่ใน iPhone 16 Pro บางเครื่อง แต่จนถึงขณะนี้ยังไม่พบหลักฐานดังกล่าว

QLC และ TLC ต่างกันอย่างไร

Triple-Level Cell (TLC) NAND flash และ Quad-Level Cell (QLC) NAND flash เป็นหน่วยความจำประเภทเดียวกัน แต่มีวิธีจัดเก็บข้อมูลแตกต่างกัน

QLC สามารถเก็บข้อมูลได้ 4 บิตต่อเซลล์ ขณะที่ TLC เก็บได้ 3 บิตต่อเซลล์ ทำให้ QLC สามารถจัดเก็บข้อมูลได้มากกว่า จึงมักถูกใช้กับหน่วยความจำความจุสูง และยังมีต้นทุนการผลิตที่ถูกกว่า

อย่างไรก็ตาม QLC ถูกมองว่ามีความทนทานน้อยกว่า TLC และมีความเร็วต่ำกว่า เนื่องจากต้องเขียนข้อมูลใหม่ทั้งหมด 4 บิต แทนที่จะเป็น 3 บิต

ส่วนความแตกต่างด้านความเร็วในการใช้งานจริงบนอุปกรณ์พกพายังคงเป็นประเด็นที่ถกเถียงกัน รายงานระบุว่า QLC จะช้าเป็นพิเศษเมื่ออ่านข้อมูลแบบสุ่ม แต่ยังไม่ชัดเจนว่าจะส่งผลต่อการใช้งาน iPhone มากเพียงใด

โดยทั่วไป การเข้าถึงหน่วยความจำแฟลชบนสมาร์ตโฟนมักเกิดขึ้นเป็นช่วงสั้น ๆ มากกว่าการถ่ายโอนข้อมูลต่อเนื่องเป็นเวลานาน ดังนั้น ผู้ใช้ทั่วไปที่ไม่ได้ใช้เครื่องมือทดสอบประสิทธิภาพอาจแทบไม่รู้สึกถึงความแตกต่าง

ทั้งนี้ ข่าวลือแบบเดียวกันเคยเกิดขึ้นเมื่อ 2 ปีก่อน และจากข้อมูลที่พบในเวลานั้นดูเหมือนว่าจะไม่ถูกต้อง จึงต้องรอดูว่ารายงานล่าสุดเกี่ยวกับ iPhone 18 Pro จะมีความแม่นยำมากกว่าเดิมหรือไม่

ที่มา: AppleInsider

ความคิดเห็น - Like เพจ iPhoneMod.net

เขียนโดย Thitirath Kinaret

เต้นท์ iMoD : ป.ตรี วิศวกรรมซอฟต์แวร์ ป.โท บริหารธุรกิจ ม.พายัพ ชอบความสวยงามแบบเรียบง่าย ตามแบบฉบับของ Apple @Contact : facebook.com/tentzy