, ,

รู้หรือไม่? iPhone 6s มีการอ่านเขียนข้อมูลได้เร็วกว่า Samsung Galaxy S7


ธรรมชาติของผู้ใช้งานมักต้องการ อุปกรณ์ที่มีการประมวลผลได้เร็ว เพื่อตอบสนองความต้องการในชีวิตประจำวัน โดยส่วนใหญ่มักจะมองถึง คุณภาพของ Chip, ขนาดของ RAM, ขนาดความจุและแบตเตอรีขนาดใหญ่ ว่าหากสิ่งเหล่าโดยเฉพาะ RAM มีขนาดใหญ่หรือมากก็จะช่วยให้อุปกรณ์ประมวลผลได้รวดเร็ว

ความเร็วในการอ่านเขียนข้อมูลใน Hard Drive (ตัวเก็บข้อมูลต่างๆ ของอุปกรณ์) ก็เป็นปัจจัยสำคัญเหมือนกัน ที่จะทำให้อุปกรณ์เหล่านั้นประมวลผลเร็วหรือไม่ ทำให้ผู้ผลิตอุปกรณ์ เช่น Apple และ Samsung หันมาพัฒนาเรื่องคุณสมบัติการอ่านเขียนข้อมูลในอุปกรณ์กันมากขึ้น

Apple ผลักดันเรื่องความเร็วการอ่านเขียนข้อมูล

iPhone6-6sSpeedtest
iPhone 6 & 6s Speed Test – iClarified

Apple ก็พยายามพัฒนาเทคโนโลยีการอ่านเขียนข้อมูลอย่างต่อเนื่อง แต่ก็ไม่ค่อยมีใครพูดถึงเรื่องนี้กันมากสักเท่าไหร่ เพราะส่วนใหญ่จะเข้าใจว่า อุปกรณ์ที่มี RAM เยอะมักจะมีความเร็วที่สูงเสมอ วันนี้เราจะมาดูกันว่า Apple ให้ความสำคัญกับเทคโนโลยีนี้อย่างไร และผลการทดสอบที่แสดงให้เห็นว่า iPhone มีการอ่านเขียนข้อมูลในอุปกรณ์ได้เร็วกว่า Samsung Galaxy

NAND Flash หัวใจหลักในการอ่านเขียนข้อมูล

หนึ่งเหตุผลที่ iPhone 6s มีการประมวลผลที่เร็วกว่า iPhone รุ่นก่อนๆ เช่น iPhone 6 เป็นอย่างมาก เพราะ Apple มีการจัดการเรื่อง Memory (หน่วยความจำ) ด้วยเทคโนโลยีใหม่ โดยใช้อุปกรณ์แบบ SSD (Solid State drive) จาก MacBook ที่มีการส่งผ่านข้อมูลความเร็วสูง มาปรับใช้ใน iPhone ด้วย

CPU Performace iPhone SE

โดยใน iPhone 6s จะใช้ NVMe Protocol (Non-Volatile Memory Host Controller) เป็นมาตรฐานในการเชื่อมต่อกับ SSD ที่มีชิป NAND Flash เป็นหัวใจหลักในการอ่านเขียนข้อมูลใน SSD ที่มีความรวดเร็วมาก นอกจาก iPhone 6s แล้ว iPhone SE กับ iPad Pro รวมไปถึงคู่แข่งอย่าง Samsung Galaxy ก็ใช้เทคโนโลยีนี้เช่นเดียวกัน

ผลทดสอบ NAND Flash ระหว่าง iPhone กับ Samsung Galaxy

ผลการทดสอบการอ่านเขียนข้อมูลจากชิป NAND โดยวัดปริมาณการอ่านเขียนข้อมูลเป็น MB/วินาที หากผลยิ่งเยอะแสดงว่า การอ่านเขียน ข้อมูลจะทำได้ดีกว่าผลที่มีค่าน้อย

ทดสอบปริมาณการอ่านข้อมูลด้วย NAND

iphone-6s-galaxy-s7-storage-speed-anandtech-1

ทดสอบปริมาณการเขียนข้อมูลด้วย NAND

iphone-6s-galaxy-s7-storage-speed-anandtech-2

ผลการทดสอบแสดงให้เห็นว่า ชิป NAND Flash ใน iPhone 6s Plus มีผลการทดสอบปริมาณการอ่านเขียนข้อมูลสูงกว่า Samsung Galaxy และ Smartphone รุ่นอื่นๆ ถึงแม้จะเป็น Samsung Galaxy S7 รุ่นใหม่ ที่เพิ่งเปิดตัวไปก็ยังมีผลลัพธ์ การอ่านเขียนข้อมูล น้อยกว่า iPhone 6s

Samsung-Galaxy-S6-edge-vs-Apple-iPhone-6

แต่ไม่ได้หมายความว่า Samsung จะไม่ให้ความสำคัญกับเรื่องนี้เพราะมีข่าวว่า Samsung จะมีการปรับปรุงและอัปเกรตคุณสมบัติของหน่วยความจำในอุปกรณ์รุ่นใหม่ในเร็วๆ นี้

ถึงอย่างไรการพัฒนาอุปกรณ์มีองค์ประกอบหลายอย่างที่จะทำให้อุปกรณ์เครื่องนั้นมีคุณภาพและประมวลผลได้รวดเร็ว ผู้ผลิตจะต้องสรรหาและพัฒนาเทคโนโลยีเสมอเพื่อให้เหนือกว่าคู่แข่งและตอบโจทย์ความต้องการของผู้ใช้งานเป็นหลัก

ทิ้งท้ายไว้ด้วยผลทดสอบความเร็วการเปิดใช้งาน iPhone 6s vs. Note 7

ขอบคุณ – bgr.com

ความคิดเห็น - Like เพจ iPhoneMod.net

Written by Thitirath Kinaret

Mod-T : ป.ตรี วิศวกรรมซอฟต์แวร์ ป.โท บริหารธุรกิจ ม.พายัพ ชอบความสวยงามแบบเรียบง่าย ตามแบบฉบับของ Apple @Contact : facebook.com/tentzy