Saktaphat Kordjan
Samsung และ SK Hynix เดินหน้าอัปเกรดโรงงานผลิตชิป NAND ในจีนเพื่อทวงคืนส่วนแบ่งการตลาดหลังถูก YMTC แซงหน้าขึ้นเป็นอันดับหนึ่ง
Samsung และ SK Hynix เร่งอัปเกรดโรงงานผลิตชิป NAND
YMTC ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำของจีนก้าวขึ้นเป็นผู้ผลิตชิป NAND flash อันดับ 1 ในจีนด้วยส่วนแบ่งการตลาด 38.5% เติบโตขึ้นจาก 28% ในปีก่อนหน้า แซงหน้า Samsung ที่ตกลงมาอยู่อันดับ 2 ด้วยส่วนแบ่งการตลาด 33.5% ลดลงจาก 36%
และ SK Hynix อยู่ในอันดับ 3 ด้วยส่วนแบ่ง 17% ลดลงจาก 20% ส่งผลให้ทั้งสองบริษัทจากเกาหลีใต้ต้องเร่งอัปเกรดกำลังการผลิตของโรงงานในจีนเพื่อเพิ่มขีดความสามารถในการแข่งขัน
Samsung อัปเกรดชิป NAND V9 สู่ 286 ชั้นในโรงงานซีอาน
โรงงานของ Samsung ในเมืองซีอาน ประเทศจีน มีกำลังการผลิตคิดเป็นสัดส่วนราว 40% ของการผลิตชิป NAND ทั่วโลกของ Samsung โดยมีรายละเอียดการพัฒนา ดังนี้:
- ปัจจุบันโรงงานแห่งนี้ผลิตชิปเทคโนโลยีเดิมที่มีความหนาแน่นราว 200 ชั้น (Layer)
- กำลังดำเนินโครงการอัปเกรดไปสู่การผลิตชิป NAND V9 ที่มีความหนาแน่น 286 ชั้น
- ตั้งเป้ากำลังการผลิตเริ่มต้นที่ 5,000 เวเฟอร์ภายในสิ้นปีนี้ ก่อนจะขยายกำลังการผลิตเป็น 40,000 เวเฟอร์ภายในสิ้นปี 2027
อย่างไรก็ตาม เทคโนโลยี NAND V9 ถือเป็นรุ่นก่อนหน้า เนื่องจากในช่วงต้นปี Samsung ได้เปิดตัว NAND V10 ที่มีมากกว่า 400 ชั้นไปแล้ว ซึ่งให้ความเร็วที่สูงกว่าและประหยัดพลังงานได้ดียิ่งขึ้น
SK Hynix อัปเกรดชิป NAND สู่ระดับ 240 ชั้นและเตรียมขยายสู่ 300 ชั้น
SK Hynix มีโรงงานผลิตในเมืองต้าเหลียน ซึ่งเดิมเคยเป็นของ Intel ก่อนขายในชื่อ Solidigm โดยมีรายละเอียดการดำเนินงาน ดังนี้:
- Solidigm มีแผนจะจดทะเบียนในตลาดหลักทรัพย์ NASDAQ แต่ยังเผชิญอุปสรรคจากผู้ถือหุ้นและหน่วยงานกำกับดูแล
- การติดตั้งเครื่องมือผลิตเซมิคอนดักเตอร์จากสหรัฐฯ ในจีนต้องได้รับใบอนุญาตจาก Bureau of Industry and Security กระทรวงพาณิชย์สหรัฐฯ ซึ่งในปี 2025 มีมาตรการว่าจะไม่ออกใบอนุญาตเพื่อขยายหรืออัปเกรดโรงงานในจีนให้แก่ผู้ผลิตชิปต่างชาติ
- ปัจจุบันโรงงานในต้าเหลียนผลิตชิป 192 ชั้น และได้รับอนุมัติจากทางการสหรัฐฯ ให้อัปเกรดเป็นชิป 240 ชั้นแล้ว พร้อมวางแผนจะพัฒนาไปสู่ชิปมากกว่า 300 ชั้นในอนาคตหากได้รับอนุญาต
- SK Hynix อยู่ระหว่างการเจรจาเพื่อตั้งสายการผลิต NAND ในสหรัฐฯ โดยได้รับความร่วมมือจาก Intel
ที่มา: GSMArena
