Samsung เปิดตัว SSD ความจุ 256TB ขนาดเล็ก สำหรับศูนย์ข้อมูล AI

Samsung เปิดตัว SSD ความจุ 256TB ขนาดเล็ก สำหรับศูนย์ข้อมูล AI พร้อมเทคโนโลยี NAND รุ่นใหม่

Samsung เปิดตัวเทคโนโลยีหน่วยความจำรุ่นใหม่สำหรับศูนย์ข้อมูล AI โดยมีไฮไลต์เป็น SSD ความจุสูงสุด 256TB ที่มาพร้อมตัวเครื่องขนาดกะทัดรัด รวมถึง SSD ประสิทธิภาพสูงที่รองรับ PCIe 6.0 และเทคโนโลยี NAND Flash ที่มีการซ้อนชั้นมากกว่า 400 ชั้น

ภายในงาน Global Memory Innovation Forum 2026 ที่เมืองเซินเจิ้น ประเทศจีน Samsung Semiconductor ได้เปิดตัว SSD สำหรับองค์กรรุ่นใหม่ 2 รุ่น ได้แก่ BM1773 และ PM1763 ซึ่งออกแบบมาเพื่อตอบโจทย์การจัดเก็บข้อมูลความจุสูง ประสิทธิภาพการทำงาน และการใช้พลังงานของศูนย์ข้อมูลยุคใหม่

Samsung BM1773 SSD ความจุสูงสุด 256TB ในขนาดกะทัดรัด

Samsung BM1773 เป็น SSD แบบ QLC (Quad-Level Cell) ที่เน้นความจุสูง รองรับพื้นที่จัดเก็บข้อมูลสูงสุดถึง 256TBภายในตัวเครื่องมาตรฐาน E3.S ที่มีขนาดกะทัดรัด เหมาะสำหรับเซิร์ฟเวอร์และศูนย์ข้อมูลที่ต้องการพื้นที่จัดเก็บข้อมูลจำนวนมาก

SSD รุ่นนี้ใช้หน่วยความจำ NAND Flash รุ่นที่ 9 ของ Samsung หรือ V9Q 2Tb ทำงานผ่านสถาปัตยกรรม PCIe 5.0 แบบ 16 ช่องสัญญาณ โดยมีประสิทธิภาพดังนี้

• ความจุสูงสุด 256TB
• ใช้หน่วยความจำ V9Q 2Tb NAND Flash รุ่นที่ 9
• รองรับ PCIe 5.0 แบบ 16 ช่องสัญญาณ
• ความเร็วอ่านข้อมูลต่อเนื่องสูงสุด 4.5GB/s
• ประสิทธิภาพเขียนข้อมูลแบบสุ่มสูงสุด 50,000 IOPS
• ความทนทานในการเขียนข้อมูลรวม (TBW) เพิ่มขึ้น 2 เท่า เมื่อเทียบกับ QLC SSD รุ่นก่อน
• รองรับการเขียนข้อมูล 0.6 DWPD (Drive Writes Per Day)

อีกหนึ่งจุดเด่นคือระบบกู้คืนเมื่อหน่วยความจำบางส่วนเสียหาย (Die-Failure Recovery) ที่ช่วยให้ SSD ยังสามารถทำงานต่อได้ตามปกติ แม้หน่วยความจำ Die บางตัวจะเกิดความผิดพลาด โดยไม่จำเป็นต้องเปลี่ยน SSD ทั้งตัวเข้าสู่โหมดอ่านข้อมูลอย่างเดียว (Read-Only)

ด้านความปลอดภัย รองรับมาตรฐาน CNSA 2.0 และการรับรอง FIPS สำหรับชิปย่อย เพื่อเพิ่มความปลอดภัยในการจัดเก็บข้อมูลระดับองค์กร

Samsung PM1763 SSD PCIe 6.0 ความเร็วอ่านสูงสุด 28.4GB/s

สำหรับ Samsung PM1763 เป็น SSD ระดับองค์กรที่เน้นประสิทธิภาพสูง รองรับอินเทอร์เฟซ PCIe 6.0 ซึ่งสามารถทำความเร็วได้สูงถึง 2 เท่า เมื่อเทียบกับฮาร์ดแวร์รุ่นก่อนหน้า

สเปกสำคัญของ PM1763 ประกอบด้วย

• รองรับ PCIe 6.0
• ความจุตั้งแต่ 4TB ถึง 64TB
• ความเร็วอ่านข้อมูลต่อเนื่องสูงสุด 28.4GB/s
• ความเร็วเขียนข้อมูลต่อเนื่องสูงสุด 21GB/s
• ประสิทธิภาพการใช้พลังงานดีขึ้น 1.8 เท่า เมื่อเทียบกับรุ่นก่อน
• มีตัวเครื่องให้เลือก 3 รูปแบบ ได้แก่ E1.S, E3.S และ U.2
• ออกแบบให้รองรับระบบระบายความร้อนด้วยของเหลว (Liquid Cooling)

นอกจากนี้ PM1763 ยังมาพร้อมระบบรักษาความปลอดภัยระดับองค์กร รองรับ CNSA 2.0, Post-Quantum Cryptography (PQC), SPDM และการเข้ารหัสที่ใช้ TDISP เพื่อปกป้องข้อมูลสำคัญภายในเซิร์ฟเวอร์

เปิดตัว V10 NAND หน่วยความจำ Flash ซ้อนชั้นมากกว่า 400 ชั้น

นอกจาก SSD รุ่นใหม่แล้ว Samsung ยังประกาศเปิดตัว V10 NAND ซึ่งบริษัทระบุว่าเป็นหน่วยความจำ Flash รุ่นแรกของอุตสาหกรรมที่มีการซ้อนชั้นมากกว่า 400 ชั้น

เมื่อเทียบกับหน่วยความจำรุ่นก่อนหน้า V10 NAND มีการปรับปรุงประสิทธิภาพหลายด้าน ได้แก่

• ความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลเพิ่มขึ้น 58%
• ความเร็วในการรับส่งข้อมูลเพิ่มขึ้น 33%
• ใช้พลังงานลดลง 25%

เทคโนโลยีดังกล่าวช่วยเพิ่มปริมาณข้อมูลที่จัดเก็บได้ในพื้นที่จำกัด พร้อมยกระดับความเร็วและประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ซึ่งเป็นปัจจัยสำคัญสำหรับศูนย์ข้อมูลที่ต้องประมวลผลข้อมูลจำนวนมาก

Samsung zNAND-O เทคโนโลยีหน่วยความจำสำหรับ AI บนอุปกรณ์

Samsung ยังนำเสนอเทคโนโลยี zNAND-O ที่พัฒนาขึ้นสำหรับงาน Edge AI และ On-Device AI หรือการประมวลผล AI ภายในอุปกรณ์โดยตรง

zNAND-O ถูกวางตำแหน่งให้เป็นหน่วยความจำความเร็วสูงที่ช่วยลดช่องว่างระหว่าง DRAM และ Flash Storage แบบดั้งเดิม โดยมีความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลสูงกว่า DRAM ถึง 10 เท่า

เทคโนโลยีนี้ช่วยให้อุปกรณ์อย่างแล็ปท็อป สมาร์ตโฟน และแท็บเล็ต สามารถรองรับโมเดล AI ขนาดใหญ่ที่ทำงานภายในเครื่องได้ โดยมีต้นทุนต่ำกว่าการใช้ DRAM สำหรับจัดเก็บข้อมูลในปริมาณเท่ากัน

การเปิดตัวเทคโนโลยีเหล่านี้สะท้อนถึงแนวทางของ Samsung ที่มุ่งพัฒนาหน่วยความจำให้รองรับความต้องการด้าน AI ทั้งในศูนย์ข้อมูลขนาดใหญ่และอุปกรณ์ส่วนบุคคล โดยเน้นเพิ่มความจุ ความเร็ว และประสิทธิภาพการใช้พลังงานควบคู่กัน

ที่มา: Sammobile